24 января 2019 г. президент РАН академик А.М.СЕРГЕЕВ и вице-президент РАН академик БОНДУР В.Г. посетили Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН. В рамках визита академик СЕРГЕЕВ А.М. и академик БОНДУР В.Г. осмотрели научно-экспериментальный комплекс Института нанотехнологий микроэлектроники РАН (ИНМЭ РАН), оснащенный новейшим оборудованием, которое дает возможность проводить на базе Института исследования мирового уровня и получать новые научные результаты в области нанотехнологий и микросистемной техники.
- Во время визита президента РАН академика СЕРГЕЕВА А.М. и вице-президента РАН академика БОНДУРА В.Г. в Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН
- Во время визита президента РАН академика СЕРГЕЕВА А.М. и вице-президента РАН академика БОНДУРА В.Г. в Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН
- Во время визита президента РАН академика СЕРГЕЕВА А.М. и вице-президента РАН академика БОНДУРА В.Г. в Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН
- Во время визита президента РАН академика СЕРГЕЕВА А.М. и вице-президента РАН академика БОНДУРА В.Г. в Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН
Директор Института академик САУРОВ А.Н. ознакомил президента РАН и вице-президента РАН с основными направлениями и результатами деятельности ИНМЭ РАН. Научные сотрудники Института рассказали о специфике своих исследований в области микро- и наноэлектроники. В настоящее время доля молодых исследователей в общей численности научных работников Института превышает 40 %.
Во встрече принимали участие академик-секретарь Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН академик СТЕМПКОВСКИЙ А.Л. и представители других организаций.
ИНМЭ РАН был создан в 2006 году постановлением Президиума Российской академии наук, в настоящее время РАН осуществляет научно-методическое и научно-организационное руководство Институтом.